PBLS2002D,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBLS2002D,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.6 W
击穿电压集电极-发射极 50V, 20V
集电极最大允许电流 100mA/1A
额定功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-457
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TSOP-457
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBLS2002D,115引脚图与封装图
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在线购买PBLS2002D,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBLS2002D,115 | NXP 恩智浦 | TSOP NPN+PNP 50V/20V 100mA/1A | 搜索库存 |
替代型号PBLS2002D,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBLS2002D,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-74 NPN PNP | 当前型号 | TSOP NPN+PNP 50V/20V 100mA/1A | 当前型号 |
| 型号： XN0431600L 品牌： 松下 封装： SOT-23-6 NPN PNP 50V 100mA | 功能相似 | Mini6-G1 NPN+PNP 50V 100mA | PBLS2002D,115和XN0431600L的区别 |
| 型号： XN0438100L 品牌： 松下 封装： 50V NPN PNP 50V 100mA | 功能相似 | Mini6-G1 NPN+PNP 50V 100mA/500mA | PBLS2002D,115和XN0438100L的区别 |