PBSS305PD,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS305PD,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 145 @1A, 2V
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS305PD,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS305PD,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS305PD,115 | NXP 恩智浦 | PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号PBSS305PD,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS305PD,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-74 PNP | 当前型号 | PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： PBSS305PD 品牌： 恩智浦 封装： SSOT PNP 1.1W | 功能相似 | 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat BISS transistors | PBSS305PD,115和PBSS305PD的区别 |