PBSS303PD,115

NXP 恩智浦分立器件

TSOP PNP 60V 3A

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 1A 110MHz 1.1W Surface Mount 6-TSOP

得捷:
TRANS PNP 60V 1A 6TSOP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 3A Automotive 6-Pin TSOP T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 6-Pin TSOP T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 3A Automotive 6-Pin TSOP T/R

PBSS303PD,115中文资料参数规格

技术参数

频率 110 MHz

极性 PNP

耗散功率 2.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 180 @500mA, 2V

额定功率Max 1.1 W

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PBSS303PD,115引脚图与封装图

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