PBSS5160QAZ
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5160QAZ中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 85 @1A, 2V
额定功率Max 325 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 XDFN-3
外形尺寸
封装 XDFN-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
PBSS5160QAZ引脚图与封装图
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在线购买PBSS5160QAZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5160QAZ | NXP 恩智浦 | DFN-D PNP 60V 1A | 搜索库存 |
替代型号PBSS5160QAZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS5160QAZ 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT1215 PNP | 当前型号 | DFN-D PNP 60V 1A | 当前型号 |
| 型号： PBSS5160QA 品牌： 恩智浦 封装： DFN1010D PNP | 完全替代 | NXP PBSS5160QA 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -60 V, 150 MHz, 325 mW, -1 A, 85 hFE | PBSS5160QAZ和PBSS5160QA的区别 |