PUMF12,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PUMF12,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50V, 40V
集电极最大允许电流 100mA
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PUMF12,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PUMF12,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMF12,115 | NXP 恩智浦 | TSSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PUMF12,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMF12,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN PNP 300mW | 当前型号 | TSSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PUMF12 品牌： 恩智浦 封装： TSSOP NPN+PNP | 类似代替 | PNP通用晶体管; NPN电阻配备晶体管 PNP general purpose transistor; NPN resistor-equipped transistor | PUMF12,115和PUMF12的区别 |
| 型号： DCX123JU-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 NPN+PNP 50V 100mA 200mW | 功能相似 | DCX123JU-7-F 编带 | PUMF12,115和DCX123JU-7-F的区别 |