PBSS5320D,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5320D,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 750 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 150 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
额定功率Max 750 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
外形尺寸
封装 SC-74-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS5320D,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS5320D,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5320D,115 | NXP 恩智浦 | TSOP PNP 20V 3A | 搜索库存 |
替代型号PBSS5320D,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS5320D,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6TSOP PNP 750mW | 当前型号 | TSOP PNP 20V 3A | 当前型号 |
| 型号： PBSS5320D,125 品牌： 恩智浦 封装： SC-74 PNP 750mW | 类似代替 | TSOP PNP 20V 3A | PBSS5320D,115和PBSS5320D,125的区别 |