PDTC115EMB,315
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTC115EMB,315中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 20mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 230 MHz
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 XFDFN-3
外形尺寸
高度 0.36 mm
封装 XFDFN-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTC115EMB,315引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTC115EMB,315 | NXP 恩智浦 | DFN NPN 50V 20mA | 搜索库存 |