频率 200 MHz
极性 PNP
耗散功率 1.15 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 75 @0.1mA, 10V
额定功率Max 1.15 W
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
宽度 3.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PZT2907A,135 | NXP 恩智浦 | SC-73 PNP 60V 0.6A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PZT2907A,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-261-4 PNP 1.15W | 当前型号 | SC-73 PNP 60V 0.6A | 当前型号 | |
型号: PZT2907A,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-223 NPN 1.15W | 类似代替 | NXP PZT2907A,115 单晶体管 双极, 开关, PNP, -60 V, 250 MHz, 1.15 W, -600 mA, 100 hFE | PZT2907A,135和PZT2907A,115的区别 | |
型号: PZT2907AT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 PNP -60V -600mA 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFE | PZT2907A,135和PZT2907AT1G的区别 | |
型号: PZT2907AT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 PNP -60V -600mA 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT3G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFE | PZT2907A,135和PZT2907AT3G的区别 |