频率 150 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMMT591A,235 | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 40V 1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMMT591A,235 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236-3 PNP 250mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 40V 1A | 当前型号 | |
型号: PMMT591A,215 品牌: 恩智浦 封装: TO-236AB PNP 0.25W | 类似代替 | NXP PMMT591A,215 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFE | PMMT591A,235和PMMT591A,215的区别 | |
型号: PBSS5140T,215 品牌: 恩智浦 封装: TO23-6AB PNP 450mW | 类似代替 | PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors | PMMT591A,235和PBSS5140T,215的区别 | |
型号: ZXTP2041FTA 品牌: 美台 封装: SOT-23 PNP 40V 1A 350mW | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 40V 1A 350mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R | PMMT591A,235和ZXTP2041FTA的区别 |