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PMMT591A,235

PMMT591A,235

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PMMT591A,235中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMMT591A,235引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PMMT591A,235 NXP 恩智浦 TO-236AB PNP 40V 1A 搜索库存
替代型号PMMT591A,235
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMMT591A,235

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236-3 PNP 250mW

当前型号

TO-236AB PNP 40V 1A

当前型号

型号: PMMT591A,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB PNP 0.25W

类似代替

NXP  PMMT591A,215  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFE

PMMT591A,235和PMMT591A,215的区别

型号: PBSS5140T,215

品牌: 恩智浦

封装: TO23-6AB PNP 450mW

类似代替

PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

PMMT591A,235和PBSS5140T,215的区别

型号: ZXTP2041FTA

品牌: 美台

封装: SOT-23 PNP 40V 1A 350mW

功能相似

Trans GP BJT PNP 40V 1A 350mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R

PMMT591A,235和ZXTP2041FTA的区别