PBSS3515M,315
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS3515M,315中文资料参数规格
技术参数
频率 280 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.43 W
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 2V
额定功率Max 430 mW
耗散功率Max 430 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-883
外形尺寸
封装 SOT-883
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS3515M,315引脚图与封装图
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在线购买PBSS3515M,315
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS3515M,315 | NXP 恩智浦 | DFN PNP 15V 0.5A | 搜索库存 |
替代型号PBSS3515M,315
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS3515M,315 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC101 PNP 430mW | 当前型号 | DFN PNP 15V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： PBSS3515E 品牌： 恩智浦 封装： SC-75 PNP | 完全替代 | 15 V ， 0.5 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat BISS transistor | PBSS3515M,315和PBSS3515E的区别 |
| 型号： PBSS3515E,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-416 PNP 150mW | 功能相似 | NXP PBSS3515E,115 单晶体管 双极, PNP, -15 V, 280 MHz, 150 mW, -500 mA, 200 hFE | PBSS3515M,315和PBSS3515E,115的区别 |
| 型号： PBSS3515F 品牌： 飞利浦 封装： | 功能相似 | 15V low VCEsat PNP transistor | PBSS3515M,315和PBSS3515F的区别 |