PZU4.7B1,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PZU4.7B1,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 550 mW
测试电流 5 mA
稳压值 4.515 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 310 mW
耗散功率Max 550 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-323
外形尺寸
封装 SOD-323
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 -1.4 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PZU4.7B1,115引脚图与封装图
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在线购买PZU4.7B1,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PZU4.7B1,115 | NXP 恩智浦 | PZUxB 系列 4.7 V 310 mW 200 mA 单 齐纳二极管 - SOD-323F | 搜索库存 |
替代型号PZU4.7B1,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PZU4.7B1,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOD | 当前型号 | PZUxB 系列 4.7 V 310 mW 200 mA 单 齐纳二极管 - SOD-323F | 当前型号 |
| 型号： PZU4.7B1 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | 单齐纳二极管的SOD323F包 Single Zener diodes in a SOD323F package | PZU4.7B1,115和PZU4.7B1的区别 |
| 型号： BZX384-B4V7,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-323 | 类似代替 | NXP BZX384-B4V7,115 单管二极管 齐纳, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C | PZU4.7B1,115和BZX384-B4V7,115的区别 |