PZU3.0B1,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PZU3.0B1,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 550 mW
测试电流 5 mA
稳压值 2.925 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 550 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-323
外形尺寸
封装 SOD-323
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 -2.1 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PZU3.0B1,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PZU3.0B1,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PZU3.0B1,115 | NXP 恩智浦 | PZUxB 系列 3.0 V 310 mW 200 mA 单 齐纳二极管 - SOD-323F | 搜索库存 |
替代型号PZU3.0B1,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PZU3.0B1,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-90 | 当前型号 | PZUxB 系列 3.0 V 310 mW 200 mA 单 齐纳二极管 - SOD-323F | 当前型号 |
| 型号： PZU3.0B1 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | 单齐纳二极管的SOD323F包 Single Zener diodes in a SOD323F package | PZU3.0B1,115和PZU3.0B1的区别 |
| 型号： BZX384-B3V0,115 品牌： 恩智浦 封装： UMD | 类似代替 | NXP BZX384-B3V0,115 单管二极管 齐纳, 3 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C | PZU3.0B1,115和BZX384-B3V0,115的区别 |
| 型号： PZU3.0B2,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD323 | 类似代替 | SOD-323F 3.075V 550mW | PZU3.0B1,115和PZU3.0B2,115的区别 |