频率 450 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.43 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @10mA, 2V
额定功率Max 430 mW
耗散功率Max 430 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-883-3
宽度 0.62 mm
封装 SOT-883-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS2540M,315 | NXP 恩智浦 | DFN NPN 40V 0.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBSS2540M,315 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-101 NPN 430mW | 当前型号 | DFN NPN 40V 0.5A | 当前型号 | |
型号: PBSS2540F 品牌: 恩智浦 封装: | 类似代替 | PBSS2540F NPN三极管 40V 500mA/0.5A 450MHz 100 50mV~200mV SOT-523 marking/标记 2C | PBSS2540M,315和PBSS2540F的区别 | |
型号: PBSS2540E 品牌: 恩智浦 封装: SC-75 NPN | 类似代替 | 40 V , 500毫安NPN低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 40 V, 500 mA NPN low VCEsat BISS transistor | PBSS2540M,315和PBSS2540E的区别 | |
型号: PBSS2540E,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-416 NPN 0.25W | 功能相似 | NXP PBSS2540E,115 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 450 MHz, 150 mW, 500 mA, 200 hFE | PBSS2540M,315和PBSS2540E,115的区别 |