PDTD143ETR
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTD143ETR中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 460 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 60 @50mA, 5V
额定功率Max 320 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 225 MHz
耗散功率Max 460 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTD143ETR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PDTD143ETR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTD143ETR | NXP 恩智浦 | TO-236AB NPN 50V 500mA | 搜索库存 |
替代型号PDTD143ETR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTD143ETR 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 NPN 460mW | 当前型号 | TO-236AB NPN 50V 500mA | 当前型号 |
| 型号： BCR 512 B6327 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 50V 500mA | 功能相似 | TRANS PREBIAS NPN 300mW SOT23-3 | PDTD143ETR和BCR 512 B6327的区别 |