PDTB143XTR
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTB143XTR中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 460 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V
额定功率Max 320 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 140 MHz
耗散功率Max 460 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTB143XTR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTB143XTR | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 50V 500mA | 搜索库存 |