PUMT1,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PUMT1,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PUMT1,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PUMT1,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMT1,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6-TSSOP PNP 200mW | 当前型号 | PNP 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： PUMT1 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 PNP | 类似代替 | PUMT1 PNP+PNP复合三极管 -50V -0.1A HEF=120 SOT363 标记F1F 用于开关/数字电路 | PUMT1,115和PUMT1的区别 |
| 型号： BC857BDW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 PNP -45V -100mA 380mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC857BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363 | PUMT1,115和BC857BDW1T1G的区别 |