PUMX2,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PUMX2,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PUMX2,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PUMX2,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMX2,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-88 NPN 300mW | 当前型号 | TSSOP NPN 50V 0.15A | 当前型号 |
| 型号： PUMX2 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | NPN /通用NPN双晶体管 NPN/NPN general-purpose double transistors | PUMX2,115和PUMX2的区别 |