PMST6429,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMST6429,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 500 @100µA, 5V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMST6429,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMST6429,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMST6429,115 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 45V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号PMST6429,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMST6429,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT323 NPN | 当前型号 | SC-70 NPN 45V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： PMST6429 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | NPN通用晶体管 NPN general purpose transistors | PMST6429,115和PMST6429的区别 |
| 型号： 2SD2351 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 2SD2351 NPN三极管 Vcbo=60V Vceo=50v Ic=150mA/0.15A ft=250MHz HFE=820~1800 Vce=300mV/0.3V SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 BJV | PMST6429,115和2SD2351的区别 |