频率 50 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 25 @1mA, 10V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
宽度 1.35 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMSTA42,115 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 300V 0.1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PMSTA42,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-70 NPN 200mW | 当前型号 | SC-70 NPN 300V 0.1A | 当前型号 | |
型号: PMSTA42 品牌: 恩智浦 封装: | 类似代替 | PMSTA42 NPN三极管 300V 100mA/0.1A 50MHz 40 500mV/0.5V SOT-323/SC-70 marking/标记 t1D 高压开关 | PMSTA42,115和PMSTA42的区别 | |
型号: MMSTA42-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-323 NPN 300V 200mA 200mW | 功能相似 | MMSTA42 系列 NPN 300 V 200 mW 小信号 晶体管 表面贴装 - SOT-323 | PMSTA42,115和MMSTA42-7-F的区别 | |
型号: MSD42WT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-323 NPN 300V 150mA 450mW | 功能相似 | NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors | PMSTA42,115和MSD42WT1G的区别 |