PEMH10,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PEMH10,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PEMH10,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PEMH10,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PEMH10,115 | NXP 恩智浦 | SOT-666 NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PEMH10,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PEMH10,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 NPN 300mW | 当前型号 | SOT-666 NPN 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： NSBC114YPDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NSBC114YPDXV6T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-563 | PEMH10,115和NSBC114YPDXV6T1G的区别 |
| 型号： NSBC114YDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW | 功能相似 | 双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor Transistors | PEMH10,115和NSBC114YDXV6T1G的区别 |