极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 180 MHz
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-883
高度 0.47 mm
封装 SOT-883
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTA143ZM,315 | NXP 恩智浦 | DFN PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTA143ZM,315 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-101 PNP 250mW | 当前型号 | DFN PNP 50V 100mA | 当前型号 | |
型号: PDTA143ZE 品牌: 恩智浦 封装: | 类似代替 | PNP电阻配备晶体管R1 = 4.7千瓦, R2 = 47千瓦 PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW | PDTA143ZM,315和PDTA143ZE的区别 | |
型号: DTA143ZET1G 品牌: 安森美 封装: SC-75 PNP -50V -100mA 300mW | 功能相似 | PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PDTA143ZM,315和DTA143ZET1G的区别 | |
型号: DTA143ZET1 品牌: 安森美 封装: SOT-416 PNP -50V -100mA | 功能相似 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | PDTA143ZM,315和DTA143ZET1的区别 |