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PDTA124EM,315

PDTA124EM,315

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

DFN PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin DFN T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin DFN T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-101 T/R


PDTA124EM,315中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-883-3

外形尺寸

高度 0.47 mm

封装 SOT-883-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTA124EM,315引脚图与封装图
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