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PDTC143TM,315

PDTC143TM,315

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

PDTC143T series - NPN配电阻晶体管;R1 = 4.7 kOhm,R2 = 开路

Bipolar BJT Transistor


得捷:
NEXPERIA PDTC143TM - SMALL SIGNA


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-101 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883


PDTC143TM,315中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-883-3

外形尺寸

高度 0.47 mm

封装 SOT-883-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTC143TM,315引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PDTC143TM,315 NXP 恩智浦 PDTC143T series - NPN配电阻晶体管;R1 = 4.7 kOhm,R2 = 开路 搜索库存
替代型号PDTC143TM,315
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTC143TM,315

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-101 NPN 250mW

当前型号

PDTC143T series - NPN配电阻晶体管;R1 = 4.7 kOhm,R2 = 开路

当前型号

型号: PDTC143TM

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

NPN电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧, R2 =开放 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open

PDTC143TM,315和PDTC143TM的区别