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PTFA091201GL V1 R250

PTFA091201GL V1 R250

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2

RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 18.5dB 110W PG-63248-2


得捷:
IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2


PTFA091201GL V1 R250中文资料参数规格
技术参数

频率 960 MHz

额定电流 10 µA

输出功率 110 W

增益 18.5 dB

测试电流 750 mA

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-63248-2

外形尺寸

封装 PG-63248-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PTFA091201GL V1 R250引脚图与封装图
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PTFA091201GL V1 R250 Infineon 英飞凌 IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 搜索库存
替代型号PTFA091201GL V1 R250
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PTFA091201GL V1 R250

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2

当前型号

型号: PTFA091201EV4R250XTMA1

品牌: 英飞凌

封装: H-36248-2 427000mW

功能相似

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36248 T/R

PTFA091201GL V1 R250和PTFA091201EV4R250XTMA1的区别