PTFA080551E V1

Infineon(英飞凌) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 50 W

RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2

得捷:
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 50 W

Win Source:
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 / RF Mosfet LDMOS 28 V 600 mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2

PTFA080551E V1中文资料参数规格

技术参数

频率 960 MHz

额定电流 10 µA

耗散功率 219 W

输出功率 55 W

增益 18.5 dB

测试电流 600 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 H-36265-2

外形尺寸

长度 20.31 mm

宽度 15.34 mm

高度 3.56 mm

封装 H-36265-2

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PTFA080551E V1引脚图与封装图

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