PTFA210601F V4 R250

Infineon(英飞凌) 主动器件

RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8

RF Mosfet LDMOS 28V 550mA 2.14GHz 16dB 12W H-37265-2

得捷:
IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2

贸泽:
RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8

PTFA210601F V4 R250中文资料参数规格

技术参数

频率 2.14 GHz

额定电流 10 µA

耗散功率 196 W

漏源击穿电压 65 V

输出功率 12 W

增益 16 dB

测试电流 550 mA

工作温度Max 150 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 H-37265-2

外形尺寸

封装 H-37265-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PTFA210601F V4 R250引脚图与封装图

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