PTF080101S V1

Infineon(英飞凌) 主动器件

IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2

RF Mosfet LDMOS 28V 150mA 960MHz 18.5dB 10W H-32259-2

得捷:
FET RF 65V 960MHZ H-32259-2

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 32259

PTF080101S V1中文资料参数规格

技术参数

频率 960 MHz

额定电压DC 65.0 V

额定电流 1 µA

漏源极电压Vds 65.0 V

连续漏极电流Ids 1.00 µA

输出功率 10 W

增益 18.5 dB

测试电流 150 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 58000 mW

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 H-32259-2

外形尺寸

封装 H-32259-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PTF080101S V1引脚图与封装图

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