PD57045S-E中文资料参数规格
技术参数
频率 945 MHz
耗散功率 73 W
输出功率 45 W
增益 14.5 dB
测试电流 250 mA
输入电容Ciss 86pF @28VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 73000 mW
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
外形尺寸
长度 7.5 mm
宽度 9.4 mm
高度 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 165℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
PD57045S-E引脚图与封装图
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在线购买PD57045S-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PD57045S-E | ST Microelectronics 意法半导体 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F. | 搜索库存 |
替代型号PD57045S-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PD57045S-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerSO-10RF 73000mW | 当前型号 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F. | 当前型号 |
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