![PD57018S](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_279/chanpintu/pd57018s-PgzyrfkG-BZBMVGDjL.png)
频率 945 MHz
极性 N-Channel
耗散功率 31.7 W
漏源击穿电压 65.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
输出功率 18 W
增益 16.5 dB
测试电流 100 mA
额定电压 65 V
封装 PowerSO-10
封装 PowerSO-10
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PD57018S | ST Microelectronics 意法半导体 | RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PD57018S 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: SOT N-Channel 31.7W | 当前型号 | RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY | 当前型号 | |
型号: PD57018-E 品牌: 意法半导体 封装: PowerSO-10RF N-Channel 65V 2.5A | 类似代替 | PD57018-E系列 65 V 18 W N沟道 增强模式 横向MOSFET - PowerSO | PD57018S和PD57018-E的区别 | |
型号: PD57018 品牌: 意法半导体 封装: SOT N-Channel 31700mW | 类似代替 | RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY | PD57018S和PD57018的区别 | |
型号: PD57018S-E 品牌: 意法半导体 封装: SO-10 N-Channel 65V 2.5A | 功能相似 | RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs | PD57018S和PD57018S-E的区别 |