PD57002S-E中文资料参数规格
技术参数
频率 960 MHz
耗散功率 4750 mW
输出功率 2 W
增益 15 dB
测试电流 10 mA
输入电容Ciss 7.1pF @28VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 4750 mW
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
外形尺寸
高度 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 165℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PD57002S-E引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PD57002S-E | ST Microelectronics 意法半导体 | RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs | 搜索库存 |