PD55025中文资料参数规格
技术参数
频率 500 MHz
极性 N-Channel
耗散功率 79.0 W
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
输出功率 25 W
增益 14.5 dB
测试电流 200 mA
额定电压 40 V
封装参数
封装 PowerSO-10
外形尺寸
封装 PowerSO-10
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PD55025引脚图与封装图
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在线购买PD55025
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PD55025 | ST Microelectronics 意法半导体 | RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY | 搜索库存 |
替代型号PD55025
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PD55025 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerSO-10 N-Channel 79W | 当前型号 | RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY | 当前型号 |
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| 型号： PD55025-E 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10RF 40V 7A 79000mW | 功能相似 | LDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RF | PD55025和PD55025-E的区别 |