PZU30B,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PZU30B,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 0.55 W
测试电流 5 mA
稳压值 30 V
额定功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-323
外形尺寸
封装 SOD-323
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 26.6 MV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PZU30B,115引脚图与封装图
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在线购买PZU30B,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PZU30B,115 | NXP 恩智浦 | SOD-323F 30V 550mW | 搜索库存 |
替代型号PZU30B,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PZU30B,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOD323 | 当前型号 | SOD-323F 30V 550mW | 当前型号 |
| 型号： MM3Z30VB 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOD323F | 功能相似 | 200mW，MM3Z-B、MM3Z-C 系列，Fairchild Semiconductor齐纳电压容差为 2%（B 系列）和 5%（C 系列） 表面安装外壳：SOD-323F ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | PZU30B,115和MM3Z30VB的区别 |