PEMD2,315
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PEMD2,315中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SS-Mini-6
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SS-Mini-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PEMD2,315引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PEMD2,315
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PEMD2,315 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 NPN PNP 300mW | 当前型号 | SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： NSBC124EPDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP 50V 100mA 500mW | 功能相似 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | PEMD2,315和NSBC124EPDXV6T1G的区别 |
| 型号： NSBC124EPDXV6T1 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP 50V 100mA | 功能相似 | SOT-563 NPN+PNP 50V 100mA | PEMD2,315和NSBC124EPDXV6T1的区别 |