PEMH2,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PEMH2,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PEMH2,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PEMH2,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PEMH2,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 NPN 300mW | 当前型号 | SOT-666 NPN 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PEMH2 品牌： 恩智浦 封装： SOT-563/SOT666 NPN | 类似代替 | PEMH2 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA HEF=80 R1=R2=10KΩ 300mW/0.3W SOT-563/SOT666 标记Z2 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路 | PEMH2,115和PEMH2的区别 |
| 型号： NSBC144EDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW | 功能相似 | NSBC 系列 50 V 100 mA 47 kOhm NPN 双 偏置电阻 晶体管 - SOT-563 | PEMH2,115和NSBC144EDXV6T1G的区别 |
| 型号： NSBC144EDXV6T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW | 功能相似 | 双NPN偏置电阻晶体管R1 = 47 K， R 2 = 47 ķ Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K | PEMH2,115和NSBC144EDXV6T5G的区别 |