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PEMH17,115

PEMH17,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

SOT-666 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666


得捷:
NOW NEXPERIA PEMH17 - SMALL SIGN


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R


PEMH17,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PEMH17,115引脚图与封装图
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