PEMB19,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PEMB19,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PEMB19,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PEMB19,115 | NXP 恩智浦 | SOT-666 PNP 50V 100mA | 搜索库存 |