PEMB16,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PEMB16,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SOT-563
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PEMB16,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PEMB16,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PEMB16,115 | NXP 恩智浦 | SOT-666 PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PEMB16,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PEMB16,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 PNP 300mW | 当前型号 | SOT-666 PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PEMB16 品牌： 恩智浦 封装： SOT-563 PNP | 完全替代 | PNP / PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千瓦， R2 = 47千瓦 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kW, R2 = 47 kW | PEMB16,115和PEMB16的区别 |