PEMD16,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PEMD16,115中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PEMD16,115引脚图与封装图
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在线购买PEMD16,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PEMD16,115 | NXP 恩智浦 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-666 T/R | 搜索库存 |
替代型号PEMD16,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PEMD16,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 300mW | 当前型号 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-666 T/R | 当前型号 |
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