PUMD2,165
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PUMD2,165中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 NPN+PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PUMD2,165引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PUMD2,165
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMD2,165 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN PNP 300mW | 当前型号 | TSSOP NPN+PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PUMD2,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 NPN | 类似代替 | NXP PUMD2,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363 | PUMD2,165和PUMD2,115的区别 |
| 型号： PUMD12,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 0.3W | 功能相似 | NXP PUMD12,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363 | PUMD2,165和PUMD12,115的区别 |