PD55035STR-E中文资料参数规格
技术参数
频率 500 MHz
耗散功率 95000 mW
输出功率 35 W
增益 16.9 dB
测试电流 200 mA
输入电容Ciss 92pF @12.5VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 95000 mW
额定电压 40 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
外形尺寸
封装 PowerSO-10RF
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PD55035STR-E引脚图与封装图
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在线购买PD55035STR-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PD55035STR-E | ST Microelectronics 意法半导体 | RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs | 搜索库存 |
替代型号PD55035STR-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PD55035STR-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerSO-10RF 95000mW | 当前型号 | RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs | 当前型号 |
| 型号： PD55035S-E 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10RF N-Channel 40V 7A 95000mW | 完全替代 | RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs | PD55035STR-E和PD55035S-E的区别 |
| 型号： PD55035-E 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10RF 95000mW | 类似代替 | RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs | PD55035STR-E和PD55035-E的区别 |
| 型号： PD55035S 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10-4 N-Channel 7A | 功能相似 | RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY | PD55035STR-E和PD55035S的区别 |