PIMZ2,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PIMZ2,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 300 mW
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PIMZ2,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PIMZ2,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PIMZ2,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-74 NPN PNP 300mW | 当前型号 | TSOP NPN+PNP 50V 0.15A | 当前型号 |
| 型号： PIMZ2 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | PIMZ2 PNP+NPN复合三极管 -60V/60V -150mA/150mA 250 SOT-163/SC-74/SOT457/SOT23-6 标记Z2 用于开关/数字电路 | PIMZ2,115和PIMZ2的区别 |