PUMB13,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PUMB13,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
PUMB13,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PUMB13,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMB13,115 | NXP 恩智浦 | TSSOP PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PUMB13,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMB13,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6-TSSOP PNP 0.3W | 当前型号 | TSSOP PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： MUN5111DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 PNP -50V -100mA 385mW | 功能相似 | ON Semiconductor ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PUMB13,115和MUN5111DW1T1G的区别 |
| 型号： MUN5233DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5233DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-363 | PUMB13,115和MUN5233DW1T1G的区别 |