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PUMH24,115

PUMH24,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PUMH24,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PUMH24,115引脚图与封装图
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在线购买PUMH24,115
型号 制造商 描述 购买
PUMH24,115 NXP 恩智浦 TSSOP NPN 50V 20mA 搜索库存
替代型号PUMH24,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PUMH24,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: 6-TSSOP NPN 300mW

当前型号

TSSOP NPN 50V 20mA

当前型号

型号: PUMH24

品牌: 恩智浦

封装:

类似代替

低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat BISS transistors

PUMH24,115和PUMH24的区别

型号: MUN5213DW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 N-Channel 50V 100mA 385mW

功能相似

ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

PUMH24,115和MUN5213DW1T1G的区别