
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 20mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
高度 1 mm
封装 TSSOP-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PUMH24,115 | NXP 恩智浦 | TSSOP NPN 50V 20mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PUMH24,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: 6-TSSOP NPN 300mW | 当前型号 | TSSOP NPN 50V 20mA | 当前型号 | |
型号: PUMH24 品牌: 恩智浦 封装: | 类似代替 | 低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat BISS transistors | PUMH24,115和PUMH24的区别 | |
型号: MUN5213DW1T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-363 N-Channel 50V 100mA 385mW | 功能相似 | ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PUMH24,115和MUN5213DW1T1G的区别 |