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PD55025TR-E

PD55025TR-E

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Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R

Using semiconductor technology, this RF amplifier from STMicroelectronics operates at high frequencies to amplify or switch electronic signals and electrical power. Its maximum power dissipation is 79000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 165 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. Its maximum frequency is 1000 MHz.

PD55025TR-E中文资料参数规格
技术参数

频率 500 MHz

耗散功率 79000 mW

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 12.5 V

输出功率 25 W

增益 14.5 dB

测试电流 200 mA

输入电容Ciss 86pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 79000 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF-2

外形尺寸

封装 PowerSO-10RF-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

PD55025TR-E引脚图与封装图
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在线购买PD55025TR-E
型号 制造商 描述 购买
PD55025TR-E ST Microelectronics 意法半导体 Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R 搜索库存
替代型号PD55025TR-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： PD55025TR-E

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： PowerSO-10RF-2 79000mW

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R

当前型号

型号： PD55025S-E

品牌： 意法半导体

封装： PowerSO-10 N-Channel 40V 7A 79000mW

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PD55025TR-E和PD55025S-E的区别

型号： PD55025-E

品牌： 意法半导体

封装： PowerSO-10RF 40V 7A 79000mW

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型号： PD55025

品牌： 意法半导体

封装： PowerSO-10 N-Channel 79W

功能相似

RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

PD55025TR-E和PD55025的区别