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PD85025STR-E

PD85025STR-E

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RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

If you need a MOSFET for radio frequency environments, STMicroelectronics offers this RF amplifier that amplifies and switches between electronic signals. Its maximum power dissipation is 79000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. Its maximum frequency is 1000 MHz. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 165 °C.

PD85025STR-E中文资料参数规格
技术参数

频率 870 MHz

额定电流 7 A

耗散功率 79 W

漏源击穿电压 40 V

输出功率 10 W

增益 17.3 dB

测试电流 300 mA

输入电容Ciss 55pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 79000 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

长度 9.4 mm

宽度 7.5 mm

高度 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PD85025STR-E引脚图与封装图
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在线购买PD85025STR-E
型号 制造商 描述 购买
PD85025STR-E ST Microelectronics 意法半导体 RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs 搜索库存
替代型号PD85025STR-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PD85025STR-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: PowerSO-10RF 79000mW

当前型号

RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

当前型号

型号: PD85025-E

品牌: 意法半导体

封装: PowerSO-10RF 79000mW

完全替代

RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

PD85025STR-E和PD85025-E的区别

型号: PD85025S-E

品牌: 意法半导体

封装: PowerSO-10RF 79000mW

完全替代

RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

PD85025STR-E和PD85025S-E的区别

型号: PD85025TR-E

品牌: 意法半导体

封装: PowerSO-10RF 79000mW

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