PD55015TR-E中文资料参数规格
技术参数
频率 500 MHz
额定电流 5 A
耗散功率 73000 mW
漏源极电压Vds 40 V
输出功率 15 W
增益 14 dB
测试电流 150 mA
输入电容Ciss 89pF @12.5VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 73000 mW
额定电压 40 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
外形尺寸
封装 PowerSO-10RF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 165℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
PD55015TR-E引脚图与封装图
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在线购买PD55015TR-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PD55015TR-E | ST Microelectronics 意法半导体 | PD55015-E系列 40 V 520 MHz N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 | 搜索库存 |
替代型号PD55015TR-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PD55015TR-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerSO-10RF | 当前型号 | PD55015-E系列 40 V 520 MHz N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 | 当前型号 |
| 型号： PD55015STR-E 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10RF 73000mW | 完全替代 | RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs | PD55015TR-E和PD55015STR-E的区别 |
| 型号： PD55015-E 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10RF N-Channel 5A | 类似代替 | STMICROELECTRONICS PD55015-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF | PD55015TR-E和PD55015-E的区别 |
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