锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
PD55008L-E

PD55008L-E

数据手册.pdf

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

Using semiconductor technology, this RF amplifier from STMicroelectronics operates at high frequencies to amplify or switch electronic signals and electrical power. Its maximum power dissipation is 19500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. Its maximum frequency is 1000 MHz. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

PD55008L-E中文资料参数规格
技术参数

频率 500 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 5 A

耗散功率 19.5 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 1.00 µA

输出功率 8 W

增益 19 dB

测试电流 150 mA

输入电容Ciss 53pF @12.5VVds

输出功率Max 8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 19500 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5 mm

高度 0.88 mm

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

PD55008L-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PD55008L-E
型号 制造商 描述 购买
PD55008L-E ST Microelectronics 意法半导体 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs 搜索库存
替代型号PD55008L-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： PD55008L-E

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： Power 40V 1uA

当前型号

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

当前型号

型号： PD55008-E

品牌： 意法半导体

封装： SO-10RF N-Channel 40V 4A

功能相似

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

PD55008L-E和PD55008-E的区别

型号： PD55008TR-E

品牌： 意法半导体

封装： PowerSO-10RF

功能相似

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

PD55008L-E和PD55008TR-E的区别

型号： PD55008S-E

品牌： 意法半导体

封装： PowerSO-10 40V 2.5A 52800mW

功能相似

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

PD55008L-E和PD55008S-E的区别