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PD84002

STMICROELECTRONICS  PD84002  晶体管, 射频FET, 25 V, 2 A, 6 W, 1 GHz, SOT-89

The is a 25V N-channel Enhancement Mode Lateral Field Effect RF Power Transistor designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. Its superior gain and efficiency makes it an ideal solution for portable radio and UHF RFID reader.

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Excellent thermal stability
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Common source configuration
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ESD protection
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High peak power
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High ruggedness capability

ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

PD84002中文资料参数规格
技术参数

频率 870 MHz

额定电流 2 A

针脚数 3

耗散功率 6 W

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

输出功率 2 W

增益 15 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 16pF @7.5VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 6000 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 射频通信, 工业, Commercial, RF Communications, 商业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

PD84002引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PD84002 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  PD84002  晶体管, 射频FET, 25 V, 2 A, 6 W, 1 GHz, SOT-89 搜索库存