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PD85004

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

射频 MOSFET ,STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。


得捷:
FET RF 40V 870MHZ


欧时:
### 射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
If you need a MOSFET for radio frequency environments, STMicroelectronics offers this PD85004 RF amplifier that amplifies and switches between electronic signals. Its maximum power dissipation is 6000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. Its maximum frequency is 1000 MHz.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  PD85004  RF FET Transistor, 40 V, 2 A, 6 W, SOT-89


儒卓力:
**HF-MOSFET 40V 2A 6W SOT-89 **


DeviceMart:
TRANS RF POWER LDMOST


Win Source:
FET RF 40V 870MHZ


PD85004中文资料参数规格
技术参数

频率 870 MHz

额定电流 2 A

针脚数 3

耗散功率 6 W

漏源极电压Vds 40 V

输出功率 4 W

增益 17 dB

测试电流 50 mA

输入电容Ciss 16pF @13.6VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 6000 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 0.44 mm

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

PD85004引脚图与封装图
PD85004引脚图

PD85004引脚图

PD85004封装图

PD85004封装图

PD85004封装焊盘图

PD85004封装焊盘图

在线购买PD85004
型号 制造商 描述 购买
PD85004 ST Microelectronics 意法半导体 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存