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PD84006L-E

PD84006L-E

数据手册.pdf

RF功率晶体管, LDMOST塑料系列 RF power transistor, LDmoST plastic family

This RF amplifier from STMicroelectronics is a semiconductor-based transistor that amplifies or switches electronic signals and electrical power in a circuit. Its maximum power dissipation is 31000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. Its maximum frequency is 1000 MHz.

PD84006L-E中文资料参数规格
技术参数

频率 870 MHz

耗散功率 31 W

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

输出功率 2 W

增益 15 dB

测试电流 150 mA

输入电容Ciss 40pF @7VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 31000 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 5X5-8

外形尺寸

封装 5X5-8

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

PD84006L-E引脚图与封装图
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PD84006L-E ST Microelectronics 意法半导体 RF功率晶体管, LDMOST塑料系列 RF power transistor, LDmoST plastic family 搜索库存